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公益財団法人横浜学術教育振興財団は、横浜市立大学創立60周記念事業の一環として平成9年（1997年）に設立された。以来、横浜市内における学術及び教育の振興を図ることを目的として、教育、経済、社会、福祉、医療といったあらゆる分野の発展と向上を目指し、尽力し続けている。具体的な活動としては、横浜市内大学及び研究機関において研究に携わる方々を対象に、優れた研究活動や研究論文に対する助成、国際交流を視野に入れた海外における研究活動への支援などを行っている。

「電気および無電解めっき法によるNb₃Sn被膜の作製と超伝導特性」

超伝導加速空洞は電子・陽子を高効率に加速する基盤技術であり、空洞内壁に形成される超伝導薄膜の材料と成膜技術が性能向上の鍵となる。現在主流のNbバルク空洞はT _c = 9.2 Kだが、より高い加速勾配やQ値を得るため、T _c = 18.3 Kを持つNb₃Snの適用が期待されている。Nb₃Snは高い臨界磁場を示し、冷却負荷の低減や高周波特性の改善が可能である。

従来のSn拡散法によるNb₃Sn形成は、膜厚制御や組成均一性、複雑形状への適応性、再現性に課題がある。特に三次元形状の空洞内部へ均一膜を形成することは難しく、より柔軟で制御性の高いプロセスが求められている。申請者はNb基板上にSnめっきを施し焼成することでNb₃Sn被膜を形成し、超伝導特性を示すことを確認してきた。しかしNb基板は高価であるため、本研究では安価なNiなどで作製した空洞内部にNb-Sn合金を湿式めっきする新手法の確立を目的とする。

今回、公益財団法人横浜学術教育振興財団の研究助成に採択いただき、大変光栄に思います。Nb₃Sn被膜の新しい形成プロセスの確立は、次世代加速器の性能向上に直結する重要な研究です。本助成を励みに、湿式めっき法による高品質Nb₃Sn被膜の実現に向けて、より一層研究を進めてまいります。協力いただいている指導教員や研究室の皆様に深く感謝しています。